400W 2x PTF10159 432 MHz
UPDATE: Nu har detta slutsteg gått med 400W uteffekt under NAC, sammanlagt 2år 12ggr per år under 4timmars drift med full uteffekt i CW/SSB eller MGM, så under 100timmar har transistorerna hållit ihop.
Kylflänsen blir ljummen, fläkten räcker till väl, uteffekten med den enkla biaskretsen räcker till och 400W är stabilt pga. den låga värmeutvecklingen.
Kylflänsen blir knappt ljummen med bara Idq 2x1.2A vid tomgång, det motsvarar en Vgs runt 4.3-4.4V.
 |
| Ett stort antal 2.5mm hål borrade samt gängade för M3 i kylflänsen, några hål är 1.5mm för M2 som sitter på 50ohm termineringarna. |
För två 250W moduler ihopkopplade valdes en lite mindre wilkinson divider på ingångarna samt en kraftigare wilkinson combiner på utgångarna.
Labbnätaggregat ger för lite ström för att göra ett max.test, det slår av vid runt 25A.
Med 20W driveffekt så löser överströmsskyddet ut, backade av driveffekten något.
Nu ger två moduler 420W med 31Vdc, och det ska finnas ytterligare 80W eller mer att hämta om förlusterna är låga i wilkinson delarna.
Kylflänsen blir omdelbart varm och det kommer att krävas en eller två fläktar om det ska gå att köra två modulerna intermittent.
Nästa steg var att skaffa mer ström, och sen köra långtidstest.
Kopplade in två nätdelar som ger 28.7V, och 40A styck. Det är 3-fas matade nätdelar av PWM typ.
Med 28.7V och all ström man behöver så ger slutstegen 500W ganska exakt.
Eftersom drivspänningen är lägre med dessa nätagg. ökades driveffekten något för att nå max uteffekt.
Provade konstant bärvåg i 60sekunder, inget blir överhettat, med ökande värme i FETarna så sjunker uteffekten cirka 30-40W, däremot så är biaskretsen för rudimentär och skulle vara temperaturkompenserande. Det blir en framtida förbättring samt att sätta dit fläkt som minskar problemet med värmeuppbyggnad.
Sluttriming görs på nivån av driv och uteffekt man vill ha, trimning är ofta uteffektsberoende och varierar med uteffekt.
Nästa steg nu är två koaxreläer samt fläkt. Därefter mer provkörning.
Med tanke på det stora effektuttaget på en mindre fysisk yta är det oklart om en aluminiumkylfläns räcker till för att transportera bort vämen till kylflänsen. De LDMOS som ger ~1kW på en transistor måste lödas på en kopparfläns som i sin tur är fäst i en kylfläns.
Alternativet är vätskekylning, då kan man ta bort kylflänsen helt.
