Yaesu FT-7 component replacement IV
Update: Har rotat lite mer i FET och bias, depletion, enhancement osv.Dax att mäta upp vad som händer, hur borde det se ut på mätinstrumentet?
3SK40M IF Unit FET förstärkarna har en fast spänning (RX8V) Vds, sen finns en fast bias (som plockas ut från RX8V) Vg2-s till en Gate och samt en variabel DC spänning (AGC) Vg1-s på andra Gate.På Vg2-s borde det finnas runt +4VDC
På Vg1-s finns AGC , vet inte om den är över eller under 0VDC.
På Vds finns +8VDC
På Source (220ohm) borde det finnas mellan 0 och 2V beroende på Vg1-s (AGC)
På source (220ohm) borde ström variera mellan 0 och troligen 4-5mA. (3SK51 har högre Id)
T.ex om Zero Gate Voltage Drain Current är +1.5V Vg1-s på en enhancement FET är förstärkaren då avstängd, men Zero Gate Voltage Drain Current är lägre än Source på en depletion FET förstärkare då den är avstängd.
Om det hade suttit en Enhancement FET så hade FT-7 IF Unit 3SK40M kunna utelämnat motståndet till jord från Source - men orginalschemat har kvar det.
3SK40M är en enhancement FET så varför har Yaesu FT-7 ett 150ohm Source motstånd.
Kanske beror det på att AGC spänningen är helt positiv men varierar stort ?.
Om det är fallet så fanns t.ex BF994 som hade extra mycket AGC range från -2V till +4V.
Mäta!
3SK51 är en depletion FET, så då används 220ohm på Source vilket är OK i FT-7B.
Finns en bra 3SK40M ersättare - har inte fått tag på dessa BF5030W. an-095
Om FETarna
3SK40
Enhancement mode FET har vanlig bias funktion
Kräver lite +Vgs för att dra ström, vid 0V drar den inte ström
För bästa NF anger datablaet Vds 15V, Id 5.0mA Vg2-s 4V
3SK51
Läser man databladet till ersättaren NTN454 anges att det är en Depletion mode FET
Depletion mode FET har reverserad bias funktion
vid Vgs 0V drar den ström och stryps med negativ spänning.
Databladet anger Vds 15V Id 10mA Vg2-s 4V
BF991
Är en depletion mode FET.
Databladet anger för NF: Vds 10V, Id 10mA Vg2-s 4.0V
Helt avstängd är den med negativt på gate.
Tester på nätet anges att i en IF förstärkare ger BF981 -3dBm IIP3 och BF991 ger +8dBm IIP3,
men det är vid Vdd 13V, Id 4mA Vg2-s 5.6V
Men då har man justerat både Vg2 och Id för bästa IIP3. Brus finns inte med i den mätningen.
Vissa tillverkare kallar N-channel Dual Gate mosfet för "Silicon N-channel mosfet tetrode".
För att gå s.k Gain control på FET så måste spänningen på G2 vara lägre än spänning på Source.
En metod som beskrivs är att sätta en positiv bias på Source med ett par dioder (även LED).
Yaesu IF Unit kretsar
Har suttit och glott på kretsschemat på FT-7, FT-7B, FT-107, FT-901 IF Unit som använder antingen 3SK40 eller 3SK51.
Har fokuserat på hur Vds, Vgs, Id samt hur AGC gjorts men har inte blivit klokare tyvärr.
I IF Unit är det samma kretskoppling i FT-7 och FT-7B trots att det är OLIKA moder på FETarna.
Jämför man FT-7B med FT-901 och FT-107 IF Unit så skiljer det en hel del.
Det Yaesu gör att använda ett motstånd på Source, som dessutom är RF avkopplat, på så vis får Source en positiv spänning. i Orginal schemat på min FT-7 är Source motståndet 150ohm, men det som sitter på IF Unit i verkligheten är 220ohm, dvs. samma som sitter i orginalschemat för FT-7B med 3SK51-03.
 |
| Mitt FT-7 IF Unit kort, med sin riktiga krets och komponentvärden |
 |
| FT-7B enligt orginal kretsschema (om det nu stämmer med verkligheten ) |
 |
| FT-107 IF Unit |
 |
| FT-901 RF Unit |
Det verkar som om jag får sätta in mätpunkter och mäta vad som händer på min FT-7.
Vds, Vgs, Id samt AGC tyst resp aktivt. Inga mätvärden eller trimpunkter finns i manualen, så jag får gissa lite.
Det viktiga är kanske Id, sätter man Id rätt så är brustalet som bäst OCH att sätta Id med bias spänningen. Motståndet på Source verkar vara en del av en spänningsdelare, så kanske används det som strömdefinerare om det visar sig att Vgs är 0V....nu gissar jag....
MItt FT-7 PB1625D kort stämmer inte med kretsschemat som kom i orginal manualen.
Motståndet på Source är 220ohm istf 100ohm, kondingen som matar är inte 100pF, den är på 33pF.
Jämför med FT-7B PB1625 är 47uF och 47nF borttagna på RX8V matnigen till FETarna.
