Summa sidvisningar

torsdag 11 maj 2017

Surplus 432MHz slutsteg med PTF10159

Provat ny surplusmodul med 2st PTF10159 goldmos fet transistorer för 470 - 860MHz..

Först tillverkades en kylfläns för att kunna prova modulen, dvs. med en försänkning av transistorer, ca. 1.5mm ner i kylkroppen.
Många gängade hål blev det.
En spänningsregulator för bias adderades, en enkel +5V regulator ansluts till motståndsnätet som redan finns på modulen.


Det är två slutsteg ihopkombinerade med 90graders hybrider, varje slutsteg består av en dubbelFET som i sin tur är ihopkopplade med transformatorer av semirigid koax.
Varje dubbelFET kan ge upp till 100 - 130W uteffekt beroende på drivspänning och driveffekt.

Första provet med +27VDC drivspänning gav inte så mycket uteffekt på 432MHz med 5W drivning men modulen verkar vara hel.
Ökade Idq till 1.25A per transistor (2x0.6A) och matade på med 432MHz signal.
Nu gav modulen 180W vid 8.5W in.
Provade addera trimkondensatorer på utgångarna och med en enkel trimning ger modulen 200W uteffekt vid 8.5W in på 432.200MHz. Adderade även trimkondensatorer på ingångarna, men dom behövs inte och kommer att tas bort.
Enligt databladet så ska 4W per dubbelFET ge nära max.uteffekt-

Detta är bra data och runt 50% verkningsgrad, så modulerna är helt klart användbara på 432MHz.
Man ska betänka att dessa FET har intermatchning och den brukar vara frekvensberoende, men i detta fallet så påverkar inte intermatchningen prestanda på 432MHz.

Nästa steg var att öka spänningen till +31V, och nu rockade FETarna loss ordentligt, 250W uteffekt.
Med det resultatet finns inte mer att hämta ur FETarna, så projektet går nu äver till nästa steg.

Kylflänsen på bilden är enbart till för test och trimning, kylflänsen är alldeles för liten och tunn för att kunna användas praktiskt och transportera bort förlusteffekten. Redan vid Idq 2x.1.2A bygger värmen upp snabbt.
Även Idq stiger snabbt med ökande värme i FETarna och dubbleras ganska snabbt på denna lilla kylfläns
En temperaturkompenserad biaskrets krävs på sikt.
Enklast används en temp.sensor i form av en NPN med samma temp.coefficient som FET transistorerna.

En stor kylfläns ligger på fräsbordet och ska nu gängas upp. M2 och M3 i ett stort antal.